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1、太原理工大學(xué)碩士學(xué)位論文利用循環(huán)伏安法研究SiCl4電化學(xué)還原及多晶硅特征姓名：馬秋平申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：@指導(dǎo)教師：孟慶森@太原理工大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文II20mlSiCl4中循環(huán)伏安曲線。掃描速度20mvs，峰電流密度－6.600mAcm2；掃描速度50mvs，電流密度－6.807mAcm2。當(dāng)溶液一定時(shí)，峰電流與掃描速度的平方根成正比，即掃描速度快，峰電流就大。鎳（Φ18mm）為工作電極，30mlPC，0.5molLSiCl
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