利用測量少子壽命再現(xiàn)低溫多晶硅背板工藝.pdf

1、隨著科技的進(jìn)步和人類對視覺享受追求的持續(xù)提升，AMOLED顯示技術(shù)以其快速響應(yīng)、高頻率、低能耗、高PPI、超高色彩飽和度及超高對比度等優(yōu)點將成為下階段顯示技術(shù)行業(yè)中的一顆璀璨的明星。本研究是利用激光波導(dǎo)測試的方法，研究AMOLED顯示用背板的低溫多晶硅載流子少子壽命同TFT特性、多晶硅晶粒大小、準(zhǔn)分子激光結(jié)晶工藝條件和AMOLED顯示器件之間的關(guān)系，從而開辟一條成本低、環(huán)境友好的快速反饋生產(chǎn)問題的新技術(shù)路線。
　　(1)利用統(tǒng)計學(xué)

2、計算方法對低溫多晶硅載流子少子壽命測量體系進(jìn)行計算分析。從理論上闡述低溫多晶硅少子壽命測試的可行性和對比其他表征方法時所存在的問題及其解決方法。
　　(2)根據(jù)理論計算分析結(jié)果，制定了相應(yīng)的實驗方案。采用準(zhǔn)分子激光結(jié)晶的方法在不同工藝條件下生長低溫多晶硅薄膜，對薄膜的子少子壽命、薄膜內(nèi)多晶硅晶粒、薄膜制作的TFT半導(dǎo)體器件的載流子遷移率、閾值電壓、亞閾值擺幅等進(jìn)行規(guī)律性研究。研究了不同工藝條件下少子壽命對各半導(dǎo)體參數(shù)的影響。通過原

3、子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、半導(dǎo)體測試儀等分析方法對樣品的物相、微觀形貌、晶粒大小和分布進(jìn)行表征。
　　(3)研究結(jié)果表明:通過對低溫多晶硅少子壽命的研究，其可以有效表征低溫多晶硅TFT特性和AMOLED顯示器件的均一性，進(jìn)而指導(dǎo)準(zhǔn)分子激光結(jié)晶工藝的效果和控制范圍。同時探討了不同工藝條件下晶粒大小、AFM結(jié)果的影響，總結(jié)出了激光能量在460-500mJ/cm2附近時結(jié)晶化的優(yōu)化工藝條件，此時的微波反射信號穩(wěn)定在