多晶硅薄膜ECR-PECVD低溫生長結構研究.pdf

1、多晶硅(Poly-Si)薄膜以其優(yōu)異的光電性能與較低的制備成本，在能源信息產(chǎn)業(yè)中日益成為一種非常重要的電子材料，在大規(guī)模集成電路和半導體分立器件中得到廣泛應用。目前多晶硅薄膜的發(fā)展趨勢為低成本和高光電轉(zhuǎn)換效率。為極大限度地降低成本，人們已研究了多種能在廉價玻璃襯底上低溫沉積多晶硅薄膜的方法。其中電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積技術(ECR-PECVD)，具有等離子體密度高、電離度大、無電極、高活性等特點，是一種很有發(fā)展?jié)摿Φ牡蜏爻练e

2、工藝。 本論文采用ECR-PECVD的方法在普通玻璃片上沉積多晶硅薄膜，通過改變沉積溫度、氣源流量、微波功率以及引入中間層，利用反射高能電子衍射(RHEED)、透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射、Raman光譜等分析手段，對薄膜的微觀組織結構進行了觀察分析，研究了多晶硅薄膜的微觀生長結構以及不同工藝參數(shù)對多晶硅薄膜結構的影響規(guī)律。 實驗結果表明，該方法制得的多晶硅薄膜多以(220)取向擇優(yōu)生長。多晶硅薄膜存在縱向生長的