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文檔簡介
1、近年來,隨著多晶硅 TFT技術(shù)的不斷發(fā)展,其應(yīng)用也越來越廣泛,并被視為a-Si TFT的理想替代品。相對于 a-Si TFT,poly-Si TFT有其明顯的優(yōu)勢:高遷移率、高速高集成化、p型和n型導電模式、自對準結(jié)構(gòu)以及耗電省、分辨率高等優(yōu)點,能夠提供更亮、更精細的畫面。其中p型和n型的導電模式不僅可以實現(xiàn)LCD的驅(qū)動,而且也可以實現(xiàn)OLED的驅(qū)動。因此采用多晶硅薄膜晶體管(TFT)有源矩陣是未來大屏幕、高分辨率平板顯示的首選驅(qū)動方法
2、之一。
在制備多晶硅 TFT時,由于機器的套準誤差會在柵極與源、漏極之間產(chǎn)生重疊部分,這樣就造成了柵源、柵漏之間的交疊電容,交疊電容的存在嚴重影響了多晶硅 TFT的性能,而利用自對準工藝制備的多晶硅 TFT則避免了交疊電容的產(chǎn)生。本文主要講述了利用自對準方法制備多晶硅 TFT的工藝,并對制備 TFT過程中的曝光、顯影、光刻以及功能材料的刻蝕工藝做了研究,摸索出了一套制備多晶硅TFT的方法,取得了一些有用的數(shù)據(jù),希望對后續(xù)的工作
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