深亞微米快速處理工藝及對其溫度監(jiān)控的研究.pdf

1、快速熱處理工藝在未來半導體工藝中的重要性已是勿庸置疑的。本文闡述了快速熱處理工藝的技術發(fā)展，RTP設備的溫度測量及控制原理及其在大規(guī)模集成電路制造中的主要應用。在闡述原理的基礎上，通過ASMC實際制造工藝流程中三方面的應用的研究：離子注入后退火，鈦硅化物的形成，及快速熱氧化，藉此尋找出適用于作為RTP日常設備監(jiān)控的工藝條件。 快速熱退火工藝可消除離子注入引起的晶格損傷，并激活注入的雜質。不同的RTP溫度使得注入雜質被激活的程度不

2、同，從而造成方塊電阻值的不同。對不同注入條件的實驗結果表明雜質離子被部分激活時對溫度變化最敏感。根據(jù)TiSi2低電阻率的特點，常采用通過低溫固相反應形成TiSi：制作硅化物歐姆接觸和肖特基二極管?；谠诓煌瑴囟认陆饘賜與Si反應的生成物的不同，通過測量其硅化物的方塊電阻及用XPS法對反應組分的分析，發(fā)現(xiàn)在形成穩(wěn)定的C49和C54nSi2反應過程中對溫度變化有很高的敏感度。另外，本文還對快速熱氧化作了討論，更長的氧化時間對溫度變化更敏感。