2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、本論文在大量深入調(diào)研的基礎上,采用90m工藝,采用綜合考慮芯片面積、速度和功耗要求的構(gòu)架,在同一個芯片中設計滿足高速和低功耗要求的兩種SPEC的SRAM,容量為2Mbits,高速SRAM的速度為8ns、動態(tài)功耗為50mA、靜態(tài)功耗為500gA;低功耗SRAM的速度為20ns、動態(tài)功耗為25mA、靜態(tài)功耗為250gA的異步SRAM;并針對具體的問題,提出了一些新的觀點和設計方法。論文的主要研究工作和創(chuàng)新結(jié)果摘要如下: l、論文首先

2、確定了深亞微米高速低功耗SRAM的設計規(guī)格: 在對SRAM的存儲單元的結(jié)構(gòu)以及工作原理、SRAM工作中的時序控制和主要控制信號、及SRAM的讀寫操作具體流程進行簡要介紹后,結(jié)合半導體制造工藝的發(fā)展、深亞微米工藝的挑戰(zhàn),及SRAM技術的發(fā)展,確定了深亞微米高速低功耗SRAM的設計規(guī)格; 2、論文隨后研究和討論了深亞微米高速低功耗SRAM的具體構(gòu)架和物理布局: 首先通過比較分裂字線SRAM Cell與傳統(tǒng)的SRAM

3、 CELL的優(yōu)缺點,確定采用分裂字線SRAM Cell;然后根據(jù)設計規(guī)格對芯片面積、存儲容量等的要求,確定了SRAM的功能模塊和輸入輸出信號:并根據(jù)設計規(guī)格對高速、低功耗的要求,綜合考慮芯片面積等因素,通過估算,確定了SRAM CELL陣列、外圍電路和WL、BL的構(gòu)架和布局: 3、論文隨后進行了具體電路的設計: 設計按關鍵路徑進行,主要內(nèi)容包括:譯碼電路、輸入輸出電路、地址數(shù)據(jù)傳輸檢測電路、平衡/預充電路、控制電路、冗

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