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文檔簡介
1、浙江大學碩士學位論文超高真空CVD外延生長SiGeC材料及性能研究姓名:王亞東申請學位級別:碩士專業(yè):半導體材料指導教師:葉志鎮(zhèn)2001.4.1王亞東浙江大學碩士學位論文20014h—_————●—●—————’●————_———————__^——_———●—__—__●—_———_—_—●———●————●__——————_————————一一AbstractSilx_vGexCvalloyshaveattractedconsider
2、ableattentionoverthepastyearsduetotheiruniquepropertiesTheincorporationofcarbonintoSiGesystemprovidesalladditionaldegreeforbandgapandstrainengineeringAstimegoeson,moreandmoreresearchefforthasbeenputintoinvestigatingthene
3、wsemiconductormaterials:fromdifferenttechnologiesofgrowingalloy(suchasMBE,RTCVD,SPE)tothemechanismofgrowth;fromtheanalysisofstraincompensationtotheroleofcarbononmodulationofenergygap;fromanalysisofmeritofthematerialstoth
4、edevelopmentofthedevicesTheUltra—highVacuumChemicalVaporDepositionsystemwasfirstlysetupin1992whenprofessorYe—zhizhencamebackfromMITOurgroup,basedontheobjectivesummaryofup—todatesituationofresearchinSilxyGexCyfieldandthea
5、ctualsituationofourlab,hassuccessfullygrownSijxyGexCyalloysonSisubstratebyUHV/CVDInthispaper,afterintroducingthepresentstasisoftheresearchworkaboutSitxyGexCymaterials,IdescribethestructureofourUHV/CVDsystemandthegrowingt
6、echniqueNexttheemphasesareplacedontheanalysisanddiscussionMyresearchworkmainlyfocusesonthefollowingareas:Thestrain0nSilxyGexCyalloysgrownbyUHV/CVDhasbeenstudied,themacroscopicstraininthealloyscanberelievedbyaddingsmallam
7、ountofcarbon,butthelayercontainsstilllargemicroscopicstrain;ThethermalstabilityofSilxyGexCyalloyshasbeeninvestigatedCarbonincorporationchangesthethermalstabilityofSilxGexsignificantlyAthighannealingtemperature,substituti
8、onalcarbongraduallyprecipitatedouttoformcubicsiliconcarbidewhichcanreducethestraincompensation;ThekineticsoftheoxidizedSilxyGexCyalloyshavebeenstudied,theoxidationratedecreasedwiththeincreasingofsubstitutionalcarbon;nler
9、oomtemperaturephotoluminescenceofthermallyoxidizedSilxyQexC。alloyshasalsobeeninvestigated,thePLbandwiththepeakat383nmisattributedtothedefectintheoxidizedfilm,whilethe374mnbandisconsistenttoCinthefilmInshort,ourworklaidaf
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