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1、該文采用直流反應(yīng)磁控濺射法分別在Si(001),Si(111)及k4玻璃襯底上制備了ZnO薄膜,研究了襯底溫度、氧氬比對(duì)于薄膜結(jié)晶質(zhì)量的影響.并采用退火工藝提高了ZnO薄膜的質(zhì)量.結(jié)合XRD譜對(duì)薄膜的生長(zhǎng)工藝進(jìn)行了優(yōu)化,在襯底溫度為350℃,氧氬比為1:2的條件下制備出了高度取向的ZnO薄膜,其ZnO(0001)面的XRD半峰寬僅為0.1°,優(yōu)于國(guó)內(nèi)其它單位所報(bào)道的水平.透過(guò)率譜分析表明,ZnO在大于370mm光波段的平均透過(guò)率大于85
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