紫外光電發(fā)射材料的表面光電壓譜測試技術研究.pdf

1、紫外光電陰極是紫外真空探測器件的核心部件，決定了器件的整體性能。以GaN和AlGaN等材料為代表的Ⅲ族氮化物寬帶隙光電發(fā)射材料具有優(yōu)良的特性和誘人的應用前景。本文研究紫外光電發(fā)射材料的表面光電壓譜測試技術。
　　本文首先闡述了表面光電壓的產(chǎn)生原理，表面光電壓譜的測量方法。介紹了GaAs表面光電壓譜測試系統(tǒng)的構成，提出了針對紫外光電發(fā)射材料光電壓譜測試的改進方案，并分別對光源、光電壓池、光纖及測試軟件進行了詳細的改進說明。接著基于硅

2、材料的表面光電壓理論，利用紫外光電光譜測試系統(tǒng)，在不同入射波長、不同入射光強下獲得了硅材料表面光電壓以及硅材料紫外表面光電壓譜，并對實驗數(shù)據(jù)進行了定性分析，證明了紫外表面光電壓譜測試系統(tǒng)確實可以有效地獲取材料在紫外波段的表面光電壓。并研究了光電壓池MIS電容結構對系統(tǒng)性能的影響，分析了測得表面光電壓值與材料實際產(chǎn)生表面光電壓值的關系，通過實驗，研究了在待測樣品和導電玻璃間添加無水乙醇對材料表面光電壓測得值的影響。最后我們利用紫外表面光電