P-GaN退火對GaN基LED外延材料及器件性能的影響.pdf

1、GaN基寬禁帶半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，已被廣泛用于全彩顯示、信息指示和照明領(lǐng)域，成為當(dāng)今半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的熱點。目前，GaN及GaN基器件的研究已經(jīng)取得了巨大的進展，但是GaN的生長和器件制備方面還存在一些困難。p型摻雜困難是限制GaN基材料和器件發(fā)展的主要因素之一。熱退火是用于提高p型GaN空穴濃度的常用方法，但具體的實驗條件還有待進一步優(yōu)化。本文針對GaN基材料的p型摻雜問題，將GaN基LED樣品分別在800℃，N2氛圍下

2、退火20min和500℃，O2氛圍下退火6min，并對N2退火和O2退火的發(fā)光二極管(LED)樣品進行光學(xué)性能和電學(xué)性能的系統(tǒng)研究與分析，基于這些研究本文的主要成果如下:
　　1.p-GaN電流電壓特性的測試結(jié)果顯示:在O2較低溫度下退火就可以達(dá)到與N2高溫退火相似的電學(xué)特性。表明兩種退火方法都可以實現(xiàn)Mg原子的有效激活。
　　2.變溫光致發(fā)光測試表明:N2高溫退火會在InGaN量子阱中形成In團簇，In團簇作為深的勢阱增加