襯底處理對MOCVD外延生長GaN薄膜性能的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、寬帶隙的GaN 基Ⅲ族氮化物，在高效光電子器件制作中有著廣泛的應用，是半導體材料研究領域的前沿課題之一。本文利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長技術，在經過腐蝕處理的藍寶石襯底上生長出了高質量的GaN 外延層，并與在常規(guī)襯底上生長的GaN外延層進行了對比。 本文通過大量實驗摸索出藍寶石襯底的最佳腐蝕條件，腐蝕溫度為265℃，腐蝕時間為45~50min。在經過腐蝕的藍寶石襯底上，利用MOCVD 系統(tǒng)外延生長GaN 薄膜，提出

2、了腐蝕處理襯底上外延GaN 薄膜的外延生長模型，分析了在經過腐蝕的藍寶石襯底上形成橫向外延生長模式的生長機理。 對襯底經過腐蝕和未經腐蝕的樣品進行了性能對比，結果表明襯底經過腐蝕的樣品，其外延層表面形貌、缺陷密度、殘余應力均優(yōu)于襯底未經腐蝕的樣品。黃帶和藍帶的強度變化均與缺陷密度相關，黃光帶強度的降低說明這種襯底處理方法可以提高外延層發(fā)光性能。 在經過腐蝕處理的藍寶石襯底上，對InGaN 三元合金的制備做了初步研究，得到

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