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1、本論文主要研究了Si襯底GaN藍(lán)光LED器件的一些性能:可靠性,結(jié)溫特性,I-Ⅴ曲線與其結(jié)晶性能關(guān)系。得到了如下一些有意義和部分有創(chuàng)新性的研究結(jié)果: 1.將Si襯底GaN藍(lán)光LED與藍(lán)寶石襯底GaN藍(lán)光LED樣品在工作電流為20mA時(shí),放在120℃高溫環(huán)境中加速老化3個(gè)小時(shí),未見Si襯底GaN藍(lán)光LED光強(qiáng)發(fā)生衰減,而藍(lán)寶石襯底GaN藍(lán)光LED光強(qiáng)有少許衰減,這間接證明了Si襯底GaN藍(lán)光LED有良好可靠性。 2.本文首
2、次報(bào)道Si襯底GaN基LED的結(jié)溫特性,分析指出:和結(jié)溫與電流的對(duì)應(yīng)關(guān)系相比,用結(jié)溫與電流密度更能夠反映器件性能。通過與藍(lán)寶石襯底上GaN藍(lán)光LED的結(jié)溫比較,發(fā)現(xiàn)Si襯底GaN藍(lán)光LED有更低的結(jié)溫,原因歸結(jié)為Si有更好的導(dǎo)熱性。 3.首次報(bào)道Si襯底GaN藍(lán)光LED的理想因子。首次發(fā)現(xiàn)了理想因子和X射線斜對(duì)稱衍射(102)半峰寬有很好的對(duì)應(yīng)關(guān)系,理想因子大的樣管,其外延材料(102)衍射半峰寬大,反之亦然。這表明GaN藍(lán)光L
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