氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

1、氧化銦錫(ITO)由于其在可見光區(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導(dǎo)電薄膜被廣泛的應(yīng)用于太陽能電池和液晶顯示器等各種光電設(shè)備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料，國外對其壓阻效應(yīng)已經(jīng)有了足夠的重視，新的研究還在不斷地展開，但是國內(nèi)對此的研究還相當(dāng)少。本文意在通過測量氧化銦錫的電阻溫度系數(shù)(TCR)和室溫下的響應(yīng)因子來研究氧化銦錫的壓阻效應(yīng)。 使用電子束蒸發(fā)技術(shù)，選擇合適的生長參數(shù)在玻璃襯底上制備所需的氧化銦錫薄膜，進(jìn)行了化學(xué)成分

2、、晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)等常規(guī)測量，并研究了退火對薄膜性質(zhì)的影響。然后用光刻和刻蝕的方法制作電學(xué)測試所需的圖形。對于ITO薄膜的電學(xué)測試包括對其電阻溫度系數(shù)和響應(yīng)因子的測量兩部分。前者是用黑體輻射來改變ITO樣品的溫度，測量在不同溫度下的薄膜電阻值，并建立了一個(gè)理論模型來擬合溫度下降階段ITO樣品電阻值的變化，并從擬合參數(shù)中得到其電阻溫度系數(shù)和激活能。后者是在室溫下，通過改變薄膜一端的位移，測量不同應(yīng)變下ITO圖形樣品的電阻值，計(jì)算得到其響