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文檔簡介
1、BISR的本質(zhì)是自動實現(xiàn)電路內(nèi)部糾錯的功能。為監(jiān)督SRAM中176bit寬的并行數(shù)據(jù),本文提出一種基于擴(kuò)展?jié)h明碼的BISR電路優(yōu)化技術(shù)。
本文工作主要目標(biāo)有二:
一是基于XOR運(yùn)算的可交換性原理來構(gòu)造可合并項的特征圖,梳理XOR-Tree之后盡量共用電路單元,比較優(yōu)化前和優(yōu)化后所需要的XOR數(shù);
二是應(yīng)用TSMC90nm工藝庫,在優(yōu)化XOR-Tree的基礎(chǔ)上,進(jìn)行物理層設(shè)計電路,詳細(xì)地分析與改進(jìn)
2、具體的設(shè)計。
論文的主要內(nèi)容有四:
(1)研究了ECC技術(shù)的發(fā)展歷史以及ECC技術(shù)目前所取得的成就,分析了目前技術(shù)的主要優(yōu)缺點,達(dá)到了對ECC技術(shù)的基本掌握;
(2)針對目前主流的編解碼技術(shù),通過分析項目的實際情況,比較幾種算法;
(3)參考前人所做工作,設(shè)計出輸入輸出陣列圖,以便分析XOR-Tree結(jié)構(gòu),在保證電路功能不變的情況下,精簡電路所使用的邏輯單元;
(4)
3、對電路進(jìn)行了物理層次設(shè)計,主要針對時序、面積以及功耗進(jìn)行了分析和優(yōu)化,對比了優(yōu)化前和優(yōu)化后的結(jié)果,指出了進(jìn)一步優(yōu)化電路的建議和想法。
仿真結(jié)果的關(guān)鍵數(shù)據(jù)顯示,時延與面積分別降低了約28%和約35%,功耗也有顯著的降低,約36%。最終版圖后時延為1.5ns,面積為6200μm2,平均功耗是0.54mW,表明了本優(yōu)化方法的有效性。
研究結(jié)論認(rèn)為:針對SRAM中部分需要重復(fù)多次的電路,可以考慮先分析電路結(jié)構(gòu)。例如本
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