BST薄膜介質(zhì)變?nèi)莨艿难兄萍皯?yīng)用.pdf

1、鈦酸鍶鋇（BaxSr1-xTiO3, BST）作為典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料，其介電常數(shù)隨外加直流偏壓變化而發(fā)生改變，具有很強(qiáng)的非線性，利用該性質(zhì)可制成鈦酸鍶鋇薄膜介質(zhì)變?nèi)莨?。將具有調(diào)諧性的鈦酸鍶鋇薄膜介質(zhì)變?nèi)莨軕?yīng)用于微波電路中可增加電路的適應(yīng)性、有效減小電路體積等。在Al2O3陶瓷基片上制備的鈦酸鍶鋇薄膜介質(zhì)變?nèi)莨苡幸嬗谂c微波電路集成化和微型化，可在微波可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)等電路中有很好的應(yīng)用。應(yīng)用于微波電路的鈦酸鍶鋇變?nèi)莨苄枰佀徭J鋇薄膜具有較高

2、的介電可調(diào)率、較低的介電損耗。
　　本論文對陶瓷基片上制備的鈦酸鍶鋇介質(zhì)薄膜性能進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)對鈦酸鍶鋇薄膜介質(zhì)變?nèi)莨艿奈⒓?xì)加工工藝進(jìn)行研究，最后設(shè)計(jì)出T型微帶可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)，對制備出的鈦酸鍶鋇薄膜變?nèi)莨艿奈⒉烧{(diào)性能進(jìn)行驗(yàn)證分析。研究的主要內(nèi)容和結(jié)果如下：
　　1.優(yōu)化射頻磁控濺射工藝，在Al2O3陶瓷基片上制備了高可調(diào)、低損耗BaxSr1-xTiO3薄膜材料。對鈦酸鍶鋇薄膜濺射工藝條件，如不同成分比、總氣壓、沉積溫度等進(jìn)行

3、優(yōu)化。我們制備出了交換品質(zhì)因素CQF值為3787的Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜，其具有比CQF值為1325的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜更好的綜合性能。在Pt/Ti/Al2O3陶瓷襯底上制備的Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜具有調(diào)諧率~52％、損耗~0.8%。
　　2.采用微細(xì)加工技術(shù)研制陶瓷基片上的鈦酸鍶鋇薄膜變?nèi)莨堋Ｑ兄瞥?201安裝尺寸的鈦酸鍶鋇薄膜變?nèi)莨?，并制備出一系列可變電容，其有效面積在4×4μm2~200×2