版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、BaxSr1-x TiO3(BST)是一種性能優(yōu)良的鐵電材料,在微波領(lǐng)域有非常廣泛的應(yīng)用。
本文采用射頻磁控濺射法在Si 襯底上成功制備了BST 薄膜,并研究了不同濺射工藝參數(shù)對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)及介電性能的影響,總結(jié)了最佳濺射工藝。
射頻磁控濺射濺射的BST 薄膜,在(111)晶面擇優(yōu)取向生長(zhǎng)。退火處理可以使BST 薄膜結(jié)晶度更高,晶粒生長(zhǎng)更加完整,能很好地釋放薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中所造成的內(nèi)應(yīng)力。
襯底溫度越
2、高,薄膜結(jié)晶越好。高氧氬比的濺射氣氛有利于Sr、Mg、O 原子的沉積,而在低氧氬比的濺射氣氛中,Ba、Ti 原子的沉積速率較快。高氧氬比氣氛濺射的薄膜表面有針孔出現(xiàn),質(zhì)量不如低氧氬比氣氛中濺射的薄膜。薄膜內(nèi)部晶粒的發(fā)育狀況不如表面晶粒,其粒徑很小,而且晶粒與晶粒之間還存在一定的非晶成分。
襯底溫度對(duì)薄膜的沉積速率影響較小,在功率250W、濺射氣壓1.5Pa、氧氬比為1/3的濺射工藝下,估算薄膜的沉積速率大約為16nm/mi
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 鈦酸鍶鋇(BST)薄膜的射頻濺射沉積及性能研究.pdf
- PNZT鐵電薄膜射頻濺射制備及性能研究.pdf
- 射頻濺射制備ZnO-Al透明導(dǎo)電薄膜及性能研究.pdf
- 室溫下射頻濺射制備AZO薄膜及其性能研究.pdf
- 射頻濺射摻鋁ZnO薄膜工藝及其光電性能的研究.pdf
- 射頻濺射法制備氫化納米硅薄膜.pdf
- 射頻濺射法制備透明導(dǎo)電陶瓷薄膜.pdf
- 立方氮化硼薄膜的射頻濺射制備和光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 射頻磁控濺射法沉積氮化銅納米薄膜及PLZT薄膜.pdf
- 射頻濺射制備銅-鎂摻雜氧化鋅薄膜的形貌及光學(xué)特性.pdf
- 氘在C及C-Si射頻濺射共沉積層中的滯留特性研究.pdf
- 反應(yīng)性射頻濺射制備電致變色NiO-,x-薄膜的研究.pdf
- 射頻、甚高頻磁控濺射沉積硅薄膜的研究.pdf
- 射頻磁控濺射沉積CuAlO2薄膜的工藝優(yōu)化與性能研究.pdf
- 射頻磁控濺射ZnO薄膜及其性能的研究.pdf
- 射頻磁控濺射制備AlN薄膜及其性能研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備IMO薄膜的結(jié)構(gòu)及性能研究.pdf
- 磁控濺射沉積氮化鋁薄膜及其光學(xué)性能的研究.pdf
- 射頻磁控濺射法制備imo薄膜的結(jié)構(gòu)及性能研究
- 7075鋁合金射頻輔助磁控濺射TiN薄膜制備及性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論