高耐壓BST薄膜介質(zhì)變?nèi)莨苎芯?pdf

1、隨著通信技術(shù)的快速發(fā)展,單一頻段的通信系統(tǒng)已經(jīng)無法滿足現(xiàn)代通信的需求。通信設(shè)備的小型化和集成化要求通信系統(tǒng)能夠獨(dú)立對(duì)多個(gè)頻段進(jìn)行掃描,最大限度的完成數(shù)據(jù)傳送,所以迫切需要一種可以工作在不同頻段的微波調(diào)諧器件來滿足通信系統(tǒng)的需要。同時(shí),雷達(dá)通信系統(tǒng)和大功率通信干擾系統(tǒng)中也出現(xiàn)了各種新型高頻、高耐壓電子設(shè)備,這些設(shè)備的突出特點(diǎn)就是工作電壓較大,有時(shí)還具有較大的工作電流。所以,應(yīng)用于大功率電路中的電子元器件必須有較高的耐壓值以及較大的功率承載

2、能力。基于寬頻帶和大功率通信的需求,研究高耐壓微波調(diào)諧器件就顯得尤為重要。
　　本論文通過研究制備工藝條件對(duì)鈦酸鍶鋇(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜變?nèi)莨苈╇娏魈匦缘挠绊?研制了高耐壓、高可調(diào)的BST薄膜介質(zhì)變?nèi)莨?研究了BST薄膜變?nèi)莨芨哳l性能,為BST薄膜介質(zhì)變?nèi)莨茉诟哳l大功率電路中的應(yīng)用打下了基礎(chǔ)。主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下:
　　1.通過固相燒結(jié)法制備了摻雜Mn2+的BST陶瓷濺射靶材。燒結(jié)之前加入摩爾含量為2％

3、的乙酸錳(C4H6MnO4)進(jìn)行 Mn2+摻雜,Mn2+的受主摻雜可以中和自由電子,降低自由電子濃度,由此降低薄膜的漏電流和介電損耗度,提高BST薄膜變?nèi)莨艿哪蛪簭?qiáng)度。
　　2.使用射頻磁控濺射系統(tǒng)和微細(xì)加工工藝,在不同基片溫度、濺射氣壓、和氧氬流量比等條件下制備BST薄膜變?nèi)莨?優(yōu)化相關(guān)工藝參數(shù),制備高耐壓、高可調(diào)的BST薄膜變?nèi)莨?。在最佳工藝條件下制備的BST薄膜變?nèi)莨茉谕饧与妶?chǎng)為2000kV/cm時(shí),可調(diào)達(dá)到了53.7％,而