Si光電負(fù)阻器件和Si-Ge異質(zhì)結(jié)混合模式晶體管的模擬研究.pdf

1、該論文進(jìn)行了硅光電負(fù)阻器件的基礎(chǔ)研究工作,對兩種硅光電負(fù)阻器件的機(jī)理進(jìn)行了探討.進(jìn)行了二維器件模擬(簡稱器件模擬),對影響器件性能的主要參數(shù)進(jìn)行了模擬分析,并與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了對比.建立了兩種光電負(fù)阻器件的電路模型,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證.為光電負(fù)阻器件基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究打下了良好的基礎(chǔ).論文圍繞著這項(xiàng)研究工用進(jìn)行了SiGe/BiMOS的基礎(chǔ)研究和設(shè)計工作,進(jìn)行了器件模擬,對影響器件性能的主要參數(shù)進(jìn)行模擬分析,模擬為器件設(shè)計提供了有意義的指導(dǎo),完成

2、版圖設(shè)計和工藝設(shè)計.用器件模擬軟件"SILVACOA"中的模擬程序"ATLAS"對光電表面控制晶體管(PNEGIT)進(jìn)行了器件模擬,模擬了產(chǎn)生負(fù)阻前后的電流矢量,模擬證實(shí)了產(chǎn)生負(fù)阻的原因是柵電極下的表面復(fù)合和體復(fù)合造成的.從PNEGIT的數(shù)學(xué)模型出發(fā)建立了PNEGIT的電路模型.從電雙基區(qū)晶體管(DUBAT)的電路模型出發(fā),建立了光電雙基區(qū)晶體管PDUBAT的電路模型,用電路模型模擬了輸出特性曲線,光生電壓曲線.給出了PDUBAT和PN