2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、通過在Si BJT基區(qū)引入Ge,形成了基區(qū)禁帶寬度較窄的SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。與傳統(tǒng)的Si雙極型晶體管相比,它具有更高的頻率特性,因而在微波高頻段工作有很大的潛力。SiGe技術(shù)具有GaAs高頻低功耗的優(yōu)點(diǎn),與Si工藝兼容因此工藝成本低,并且其噪聲性能優(yōu)于Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體器件,在高速和微波領(lǐng)域具有廣泛用途。
  本課題主要研究SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管設(shè)計(jì)與工藝實(shí)現(xiàn)。以0.5μmSi基微波器件研制生產(chǎn)線為平臺進(jìn)行SiGe HBT

2、的研發(fā)。論文主要闡述以下幾個方面內(nèi)容:研究SiGe材料特性及其材料制備的方法;研究SiGe HBT器件特性,通過分析完成SiGe HBT集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū)的縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及橫向設(shè)計(jì);通過工藝實(shí)驗(yàn),如SiGe自終止腐蝕方法,PtSi合金形成良好歐姆接觸等,確定了工藝方案并進(jìn)行了流片,解決了流片中存在的工藝問題并進(jìn)行了優(yōu)化,從而提高了器件特性。
  通過工藝流片,完成了SiGe HBT器件的試制,經(jīng)過封裝測試,SiGe HBT器件直

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