一種高性能雙極晶體管的結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、雙極高頻器件己大量應(yīng)用于軍用、民用電子設(shè)備中，其典型應(yīng)用主要在通信、雷達(dá)(含導(dǎo)航)和電子對(duì)抗領(lǐng)域。全固態(tài)電子設(shè)備的體積、重量、性能、價(jià)格和可靠性很大程度上都取決于雙極功率器件及放大器性能，因此提高該類器件的性能具有很大的應(yīng)用價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義。在制作單片低噪聲放大器時(shí)，雖然GaAs和SiGe同硅相比具有很多優(yōu)點(diǎn)，尤其是較高的頻率范圍，但是硅雙極器件在較低的頻率范圍仍然占有優(yōu)勢(shì)。工作頻率低于4GHz的硅雙極晶體管為許多電子設(shè)計(jì)提供了可靠而低廉

2、的設(shè)計(jì)方案。目前我國發(fā)展硅雙極工藝技術(shù)的MMIC方面取得了很大成就。 雙極晶體管獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)： ①優(yōu)越的工作速度②優(yōu)越的驅(qū)動(dòng)能力和跨導(dǎo)③優(yōu)越的閾值電壓可控性④優(yōu)越的噪聲性能⑤在功耗不受限制的集成電路中，雙極電路的速最快。 縮小器件尺寸仍然是提高雙極器件性能的必然途徑。本論文就采取先進(jìn)的雙層多晶硅自對(duì)準(zhǔn)工藝來縮減晶體管的尺寸來提高雙極晶體管的速度。根據(jù)模擬集成電路國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的工藝不能夠做深槽隔離，所以采用溝阻隔離。