SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBT）研究與設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文的研究課題是SiGe HBT器件的設(shè)計,主要工作包括兩個方面:一,晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計;二,基區(qū)緩沖層的設(shè)計.首先,我們利用ISE TCAD軟件對SiGe HBT的結(jié)構(gòu)和性能進行了模擬,并結(jié)合實際的工藝條件對器件結(jié)構(gòu)進行設(shè)計[3].理論表明,在縱向結(jié)構(gòu)不變的情況下,如果提高工藝水平,減小器件的橫向尺寸,其性能就可以得到大幅度的提高.因此我們在原有樣品的基礎(chǔ)上對光刻版圖重新進行了設(shè)計.該課題研究的另一個重點是SiGe HBT緩沖層的設(shè)計

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