基于IDDT的集成電路故障檢測(cè)研究.pdf

1、CMOS作為集成電路領(lǐng)域中一個(gè)極為重要的部分,其測(cè)試研究工作對(duì)于保證集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要的實(shí)際應(yīng)用意義。電流測(cè)試技術(shù)作為傳統(tǒng)電壓測(cè)試技術(shù)的一種有效補(bǔ)充,能夠檢測(cè)到傳統(tǒng)電壓測(cè)試所不能檢測(cè)到的一些故障,而瞬態(tài)電流IDDT測(cè)試區(qū)別于靜態(tài)電流IDDQ測(cè)試,能檢測(cè)到一些后者也檢測(cè)不到的故障,更有其檢測(cè)速度更快的優(yōu)點(diǎn),從而使其成為一種倍受關(guān)注的新興檢測(cè)技術(shù)。
　　本文從仔細(xì)分析CMOS電路主要電流組成成份的物理意義及其對(duì)電路質(zhì)量和可靠性

2、的影響入手,研究了單周期IDDT均值的算法模型,深入分析了瞬態(tài)電流的特性,證明了瞬態(tài)電流確實(shí)比靜態(tài)電流具有更豐富的故障信息;基于PSPICE仿真平臺(tái),研究了組合邏輯電路和SRAM存儲(chǔ)單元中不影響功能的弱故障的IDDT特性,并進(jìn)行了故障模擬及檢測(cè)的仿真,仿真結(jié)果表明,IDDT信號(hào)確實(shí)能夠檢測(cè)出功能測(cè)試無法檢測(cè)的弱電阻橋接和開路故障;針對(duì)通用性較強(qiáng)的CMOS電路片外IDDT測(cè)試結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)了基于信號(hào)處理技術(shù)的非積分式電流傳感器和基于平均值計(jì)算