壓力對MOSFET跨導(dǎo)調(diào)制的研究.pdf

1、MOSFET器件具有穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大等優(yōu)點，所以很早就引起了人們的關(guān)注。早在上個世紀60年代研究人員就開始對MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理做了相應(yīng)的分析?？鐚?dǎo)作為MOSFET的一個重要參數(shù)描述的是柵電壓對源漏極電流的控制能力，被廣泛應(yīng)用在電路的放大器中，不少人對小尺寸晶體管，窄溝道MOSFET進行了廣泛的研究，但是對壓力作用下MOSFET跨導(dǎo)變化的研究還有待深入。
　　本文從半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料和電子遷移率出發(fā)，對在壓力作用下

2、Ⅲ-Ⅴ族化合物所組成半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)散射和跨導(dǎo)特性做了詳細的理論研究和分析計算。
　　首先根據(jù)理想MOSFET的結(jié)構(gòu)對其做了定性描述給出了場效應(yīng)管的能帶結(jié)構(gòu)圖、有效質(zhì)量、有效遷移率、定量公式及柵壓關(guān)系，給出了半導(dǎo)體靜電特性的定量描述。進一步研究了MOSFET的工作機理和導(dǎo)電溝道形成過程。
　　其次根據(jù)分子束外延沿（001）方向建立MOSFET模型，對異質(zhì)結(jié)中導(dǎo)電溝道的二維電子氣（2DEG）的雜質(zhì)散射率進行了分析。主要包括對在

3、壓力作用時的勢壘高度、有效質(zhì)量、有效遷移率的變化趨勢進行分析為后面的跨導(dǎo)隨壓力的關(guān)系曲線提供了理論基礎(chǔ)。
　　最后采用Ⅲ-Ⅴ族化合物AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)體系，利用matlab和origin等制圖軟件討論了在不同壓力下跨導(dǎo)隨力學(xué)的曲線關(guān)系，仿真了2DEG中的電離雜質(zhì)散射，面密度，基態(tài)電子動能隨AlGaAs隔離層厚度L的變化關(guān)系。得到了跨導(dǎo)隨壓力穩(wěn)定變化的關(guān)系值，為在器件設(shè)計上提供相應(yīng)的參考。
　　綜上所述，本論文通過對