電磁脈沖對MOSFET的熱效應的分析與研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著器件尺寸的不斷縮小,半導體器件對電磁脈沖也越來越敏感。為了提高半導體器件和集成電路的穩(wěn)定性,保證電子設備能夠正常工作,研究電磁脈沖對半導體器件的影響是很有必要的。本文主要研究電磁脈沖作用下MOSFET的熱效應。首先使用ISE-TCAD器件仿真軟件對電磁脈沖作用下MOSFET的電熱響應進行了仿真,根據(jù)仿真結果使用ANSYS有限元仿真軟件對MOSFET施加功率脈沖進行熱分析。從仿真結果可以看出,在電磁脈沖的作用下,半導體器件內部溫度受脈

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