MOSFET的強電磁脈沖損傷效應(yīng)研究.pdf

1、隨著集成度的提高和幾何尺寸的縮小，半導(dǎo)體器件越來越容易受到電磁干擾的影響；日趨復(fù)雜的通訊環(huán)境也使得電磁干擾更易耦合進入電子系統(tǒng)內(nèi)部從而導(dǎo)致邏輯錯誤甚至器件失效。作為電磁干擾的重要組成部分，高功率微波(HPM)和電磁脈沖(EMP)極易引發(fā)器件電擊穿或熱擊穿。因此研究HPM和EMP對半導(dǎo)體器件的損傷效應(yīng)有著重要的意義。
　　 本文利用器件仿真軟件ISE-TCAD，研究了高功率微波和電磁脈沖作用下MOSFET的損傷效應(yīng)與機理。研究結(jié)果

2、表明，EMP注入下器件內(nèi)唯一熱點位于襯底-漏pn結(jié)的柱面處，并在此由于熱量沉積最終導(dǎo)致器件燒毀。HPM注入下器件內(nèi)部隨信號周期變化有兩個熱點，晶格溫度波動上升并最終也在襯底-漏pn結(jié)處燒毀。并且同一脈沖幅值下，燒毀時間和能量隨著頻率的增大而增大。本文最后結(jié)合曲線擬合軟件分析比較了MOSFET在HPM和EMP注入下器件損傷能量、損傷功率和信號脈寬的關(guān)系。證明了在相同的脈沖幅值情況下，HPM注入時MOSFET處于有傳導(dǎo)的加熱狀態(tài)，因而其損傷