T型自由層自旋力矩轉(zhuǎn)移磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與模擬計(jì)算.pdf

1、隨著信息技術(shù)與信息產(chǎn)業(yè)的迅速興起,特別是多媒體計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)在全球的延伸和普及,人們需要存儲(chǔ)、處理和傳遞的數(shù)據(jù)量呈幾何級(jí)數(shù)式急劇增長(zhǎng),因此帶動(dòng)了信息存儲(chǔ)技術(shù)的高速發(fā)展。磁隨機(jī)存儲(chǔ)器、由于其非易失性存儲(chǔ)、超高的讀寫(xiě)次數(shù)、低功耗、高存儲(chǔ)密度和高讀寫(xiě)速度,在未來(lái)的存儲(chǔ)系統(tǒng)領(lǐng)域引起了廣泛的興趣,是最有希望成為下一代信息存儲(chǔ)器的候選存儲(chǔ)器之一。MRAM的應(yīng)用目前還處于發(fā)展階段,其性能還有很大的提升空間。
　　本文提出了一種T型自由層的自旋力矩轉(zhuǎn)

2、移磁隨機(jī)存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu),并用微磁模擬軟件對(duì)此結(jié)構(gòu)進(jìn)行了建模。研究了T型自由層MTJ磁存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的TMR值與翻轉(zhuǎn)電流密度之間的關(guān)系;從單元的TMR值以及翻轉(zhuǎn)電流密度兩個(gè)方面比較了T型自由層存儲(chǔ)單元與常規(guī)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)單元之間的性能差異,通過(guò)模擬T型自由層存儲(chǔ)單元磁矩的翻轉(zhuǎn)分析了這種性能差異的原因。通過(guò)ANSYS有限元熱模擬說(shuō)明了T型自由層存儲(chǔ)單元上自由層的聚熱作用,從弱化自由層垂直磁各向異性強(qiáng)度的角度說(shuō)明了這種聚熱作用對(duì)提高磁翻轉(zhuǎn)效率的影響。