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1、磁性多層膜結(jié)構(gòu)中的巨磁電阻效應(yīng)(GMR)已被廣泛應(yīng)用到信息存儲(chǔ)、磁性傳感器、微波激發(fā)等領(lǐng)域。特別是新近在納米GMR小器件中發(fā)現(xiàn)的自旋傳輸矩效應(yīng),打破了傳統(tǒng)方法采用的用磁場(chǎng)來(lái)改變或翻轉(zhuǎn)薄膜材料的磁化方向的方法,丌創(chuàng)性地采用自旋極化電流直接實(shí)現(xiàn)磁矩反轉(zhuǎn)或激發(fā)自旋波。本論文主要完成了兩個(gè)研究工作,具體如下: 在第三章中,基于Landau-Lifshitz-Gilbert方程,通過(guò)采用微磁模擬技術(shù),我們研究了垂直極化的磁性自旋閥三明治納
2、米柱結(jié)構(gòu)中,自旋極化電流所激發(fā)的自旋波特性。發(fā)現(xiàn)在小電流下,自旋閥自由層沿平面方向的磁化強(qiáng)度有兩個(gè)共存穩(wěn)態(tài);隨著電流的增大,出現(xiàn)周期性振蕩的自旋波,其頻率隨極化電流的增大可達(dá)到幾十GH<,z>,并且出現(xiàn)臺(tái)階式的增長(zhǎng)趨勢(shì);同時(shí)發(fā)現(xiàn)所激發(fā)的自旋波的頻率的功率譜出現(xiàn)了奇倍頻現(xiàn)象;隨著自由層厚度的增加,自旋波頻率減小。再繼續(xù)增大電流,會(huì)激發(fā)一種具有混沌行為的自旋波。 在第四章中,我們研究和設(shè)計(jì)了一種高磁場(chǎng)用的磁電阻傳感器。該傳感器的釘扎
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