2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、硅基薄膜太陽電池在降低成本方面比晶體硅太陽電池具有更大的優(yōu)勢:制作工藝簡單,耗材少;能沉積在廉價襯底上,適用于大面積生產(chǎn);而且容易與建筑材料相結(jié)合,構(gòu)成光伏建筑一體化系統(tǒng)。所以,硅基薄膜太陽電池引起國內(nèi)外政府和研究機(jī)構(gòu)的高度重視。
   本論文主要利用一維光電子結(jié)構(gòu)分析模型(AMPS-1D)對硅基薄膜太陽能電池進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)和模擬研究。首先對p-i-n型非晶硅薄膜太陽電池窗口層材料及本征層厚度進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì);然后對本征層帶隙漸變的

2、微晶硅薄膜太陽能電池進(jìn)行數(shù)學(xué)物理建模,模擬優(yōu)化了漸變帶隙結(jié)構(gòu)的太陽電池。最后對a-Si/μc-Si非晶硅疊層太陽電池結(jié)構(gòu)及工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。主要的工作總結(jié)如下:
   (1)模擬仿真了pin型非晶硅太陽電池不同窗口層材料對電池性能的影響。首先對p-μc-Si∶H窗口層進(jìn)行模擬優(yōu)化,p-μc-Si∶H厚度為10nm,遷移率帶隙Eμ=1-6eV時電池性能最佳,獲得了13.096%的高效率。插入i-a-SiC∶H緩沖層,明顯改善

3、電池性能,得到13.239%的效率。然后對p-a-SiC∶H窗口層進(jìn)行模擬優(yōu)化,p-a-SiC∶H厚度為10nm,摻雜濃度為1019cm2時,電池性能較好,效率為11.233%。最后,對采用p-μc-Si∶H窗口層的非晶硅太陽電池i層厚度進(jìn)行了優(yōu)化,當(dāng)i層厚度400nm時電池的轉(zhuǎn)換效率最高,達(dá)到13.251%。
   (2)結(jié)合相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),利用微晶硅帶隙與材料晶相比的關(guān)系,對pin型微晶硅薄膜太陽電池的i層帶隙漸變結(jié)構(gòu)的總光生

4、載流子產(chǎn)額、載流子復(fù)合速率等參數(shù)進(jìn)行模擬,并與普通的pin型微晶硅薄膜太陽電池進(jìn)行對比分析。結(jié)果表明,一方面帶隙漸變結(jié)構(gòu)增加了進(jìn)入微晶硅i層作為活性層的光吸收;另一方面漸變各層之間存在缺陷和復(fù)合中心,影響載流子的收集。對于帶隙遞增型微晶硅(μc-Si∶H)pin型薄膜太陽電池,當(dāng)i層總厚度在1.2μm的時候,得到14.843%光電轉(zhuǎn)化效率。
   (3)設(shè)計(jì)了a-Si∶H/μc-Si∶H疊層結(jié)構(gòu)太陽電池,優(yōu)化了頂電池和底電池的最

5、佳本征層厚度。當(dāng)頂電池和底電池本征層厚度分別為90nm和1.5μm時,達(dá)到了最佳電流匹配。隧道結(jié)采用微晶硅材料,分別模擬計(jì)算了n/p結(jié)構(gòu)和n/i/p結(jié)構(gòu)隧道結(jié)的厚度、帶隙寬度、摻雜濃度和缺陷態(tài)密度等參數(shù)對電池性能的影響,得出最佳工藝參數(shù)。當(dāng)n/p隧道結(jié)的厚度為25nm,帶隙為1.4eV,摻雜濃度為5×1018cm-3,缺陷態(tài)密度為3×1018cm-3時,a-Si∶H/μc-Si∶H雙結(jié)疊層電池的效率為10.87%;而采用插入厚為5nm,

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