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文檔簡介
1、采用不同帶隙的硅基薄膜材料構(gòu)成疊層太陽電池可以充分利用太陽光譜能量,從而提高硅基薄膜太陽電池的穩(wěn)定轉(zhuǎn)換效率,并大幅降低制造成本。
本論文主要利用ASA光學(xué)模擬軟件對疊層硅基薄膜太陽電池光學(xué)行為進行了模擬研究,優(yōu)化硅基薄膜疊層太陽電池光學(xué)行為,以進一步提高硅基薄膜疊層太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。本論文主要進行了如下四個方面的模擬研究工作:
首先,針對單結(jié)非晶硅薄膜太陽電池進行了模擬,定義了一種“標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)”電池用于模擬硅
2、基薄膜太陽電池。模擬結(jié)果表明,“標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)”電池主要受限于TCO層和P層的吸收和電池總反射等光學(xué)損失。針對其弱點,在“標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)”基礎(chǔ)上,引入玻璃內(nèi)外表面制絨,減薄TCO厚度,在玻璃表面和TCO/P界面增加抗反射層等優(yōu)化方法。最終提出“最佳光學(xué)設(shè)計”的結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了單結(jié)硅基薄膜太陽電池短路電流密度(Jsc)的有效提高。
盡管已經(jīng)采用了“最佳光學(xué)結(jié)構(gòu)”這樣的設(shè)計來努力提高短路電流密度,但是所估測的單結(jié)電池效率仍僅在10%到13%附
3、近徘徊。與晶體硅電池相比,該結(jié)果不僅是薄膜材料的吸收問題,還源于微晶硅材料質(zhì)量限制使得開路電壓(Voc)不夠高;所以若想獲得與晶體硅電池比肩的高效率硅基薄膜電池,必須采用硅基薄膜疊層太陽電池結(jié)構(gòu)。所以我們把模擬的焦點轉(zhuǎn)移到非晶硅/微晶硅薄膜疊層太陽電池上。
其次,通過模擬研究發(fā)現(xiàn),“最佳光學(xué)結(jié)構(gòu)”對比“標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)”確實極大地緩解了對本征層的要求?!白罴压鈱W(xué)結(jié)構(gòu)”不但極大減薄了電池總厚度;而且,降低了頂、底子電池厚度比,對底電
4、池厚度的緩沖能力更強。
再次,通過模擬研究發(fā)現(xiàn)ZnO中間層的吸收僅對微晶硅底電池的影響較大,所以必須盡量縮減ZnO中間層的厚度。ZnO中間層的插入,不但使得800nm以下的短波反射回前端被頂電池利用;而且800nm以上長波也被中間層反射回前端,非晶硅頂電池不能利用,部分被FTO前電極吸收,部分離開電池成為總反射的一部分。
最后,結(jié)合非晶硅/微晶硅疊層太陽電池的特點,提出一種假想的中間層薄膜材料,即所謂“階梯型
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