GaAs納米線陣列光陰極制備及其理論研究.pdf

1、砷化鎵納米線陣列由于其獨特的光學(xué)和電學(xué)性能，以及其在納米電子學(xué)，納米光學(xué)和納米電池等領(lǐng)域上的相關(guān)研究，已引起了廣泛的關(guān)注。自上而下刻蝕技術(shù)很早就用于制備大規(guī)模復(fù)雜和垂直的砷化鎵納米線陣列，并且該技術(shù)可以獲得高質(zhì)量的納米級結(jié)構(gòu)。盡管砷化鎵光陰極材料和砷化鎵納米線陣列的應(yīng)用已經(jīng)有了很大的成果，但是負(fù)電子親和勢砷化鎵納米線陣列光陰極還沒有相關(guān)的報道。在此背景下，本文圍繞砷化鎵陣列制備工藝、表征評估技術(shù)、陰極制備工藝等方面展開研究。
　　

2、本文采用基于感應(yīng)耦合等離子體(ICP)刻蝕的自上而下的干法刻蝕技術(shù)制備砷化鎵納米線陣列。利用掃描電子顯微鏡（SEM）、快速退火技術(shù)和室溫光致發(fā)光（PL）技術(shù)等表征手段研究了光刻膠、化學(xué)清洗、熱退火溫度、制備工藝水平對制備的砷化鎵納米線陣列的影響。在綜合考慮多種影響因素的基礎(chǔ)上，設(shè)計并優(yōu)化了制備砷化鎵納米線陣列的干法刻蝕工藝。
　　利用GaAs納米線陣列光陰極綜合測試系統(tǒng)研究光照入射角度、化學(xué)清洗、納米線尺寸對砷化鎵納米線陣列光陰極