GaN納米線的制備工藝與理論研究.pdf

1、GaN是一種寬帶隙(禁帶寬度是3.4 eV)半導(dǎo)體材料，其化學(xué)和物理穩(wěn)定性好，具有電子飽和遷移率高、臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、介電常數(shù)小等優(yōu)點(diǎn)，在藍(lán)、綠發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、紫外探測器和大功率器件方面具有發(fā)展?jié)摿?，因此，GaN成為新一代化合物半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)。
　　本論文主要研究了GaN納米線的制備工藝，并利用密度泛函理論對GaN納米線進(jìn)行了理論研究。
　　研究了用Pt催化劑CVD法制

2、備GaN納米線的最佳工藝條件;并研究了氨氣流量和氨化時間對制備GaN納米線形貌的影響，得出可控制備GaN納米線的條件，對GaN納米線進(jìn)行了XRD、SEM、TEM和場發(fā)射測試，結(jié)果表明，通過控制氨氣流量和氨化時間可以制備不同形貌的GaN納米線;GaN納米線的場發(fā)射特性與納米線的形貌和密度有關(guān)。
　　構(gòu)建了不同直徑的GaN納米線模型，用密度泛函理論和非平衡格林函數(shù)方法計算了GaN納米線的能帶、兩極體系的電子態(tài)密度、電子傳輸譜及電流電壓