GaN納米結(jié)構(gòu)的制備與GaN納米線理論研究.pdf

1、GaN是一種寬帶隙(Eg=3.4 eV)半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)越的光學(xué)、電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，熱穩(wěn)定性高，化學(xué)穩(wěn)定性好，在光電子和微電子器件等方面具有廣泛的應(yīng)用，成為新一代化合物半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)。本文研究了用Pt催化CVD法制備GaN納米結(jié)構(gòu)的工藝，用密度泛函理論計算了飽和三角截面GaN納米線的電子結(jié)構(gòu)和電子輸運(yùn)特性。
　　在用CVD法制備GaN納米結(jié)構(gòu)的工藝部分，研究了氨化溫度、氨氣流量和氨化時間對竹葉形GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的影響，得到

2、了調(diào)控竹葉形GaN納米結(jié)構(gòu)形貌的工藝，對所制樣品進(jìn)行了XRD、SEM表征。
　　用第一性原理和非平衡格林函數(shù)(NEGF)方法研究了35個原子、110個原子和221個原子的加氫飽和三角截面GaN納米線的幾何結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)特性，計算結(jié)果表明:優(yōu)化后的幾何結(jié)構(gòu)中鍵長發(fā)生了變化;飽和三角截面GaN納米線的帶隙均為直接帶隙，且隨著原子個數(shù)的增加，禁帶寬度逐漸減小;納米線兩極體系的態(tài)密度和傳輸譜都有脈沖形的尖峰，并且二者尖峰所對應(yīng)的電子