PEVCD技術(shù)制作減反膜研究.pdf

1、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術(shù)最早是應半導體工業(yè)發(fā)展需要而出現(xiàn)的，目前廣泛的用于微電子行業(yè)。PECVD技術(shù)又以其良好的均勻性和階梯覆蓋性、沉積薄膜致密、膜層與基體的結(jié)合力高、沉積速度快等特點，應用在二元光學、漸變折射率光學薄膜以及抗激光損傷薄膜等方面。但是，在PECVD方法沉積薄膜的同時也會產(chǎn)生大量的微粒和雜質(zhì)，相對于光學薄膜來說，如何掌握薄膜折射率和準確的控制沉積速率，成為這種沉積方法的關(guān)鍵和難點。本文主要探討利用PECV

2、D技術(shù)制備光學減反膜的有效途徑。探索了PECVD技術(shù)以硅片和K9為基底沉積光學薄膜的工藝過程控制；分析研究了不同工藝參數(shù)對薄膜光學特性的影響；設計并試制了光學減反膜樣片，進行了誤差分析與評價。通過控制薄膜沉積工藝參數(shù)，可使薄膜的光學常數(shù)發(fā)生變化，當控制薄膜材料的消光系數(shù)k<10-4，滿足光學薄膜的使用要求情況下，可獲得以下結(jié)論：
　　 ⑴SiO2薄膜材料折射率變化范圍為1.47～1.54，SiNx薄膜材料折射率變化范圍為1.85

3、～1.93，SiOxNy薄膜材料折射率變化范圍為:1.57～1.76；
　　 ⑵通過改變SiH4流速可以將SiO2、SiNx以及SiOxNy薄膜的沉積速率可以控制在10nm/min～50nm/min范圍內(nèi)；
　　 ⑶當薄膜材料沉積速率在20nm/min～40nm/min之間時，沉積薄膜的厚度可以達到精確控制的目的，其控制誤差小于7％；
　　 ⑷采用SiO2、SiNx以及SiOxNy作為薄膜材料在K9玻璃基底上單面