ZnO的發(fā)光性質(zhì)和霍爾測(cè)量.pdf

1、ZnO是一種很有前景的半導(dǎo)體材料，它可用來(lái)制造多種光電器件，如透明晶體管、紫外發(fā)光二極管等。要想得到發(fā)光二極管，就必須制備出高質(zhì)量的n-ZnO和p-ZnO，但是后者很難制備。近年來(lái)，有不少關(guān)于p-ZnO的報(bào)道，然而有些研究人員懷疑是否真的制備出p-ZnO，因?yàn)樵谶@些報(bào)道中給出的載流子濃度或遷移率太高了。為了確定載流子類(lèi)型，就必須進(jìn)行霍爾測(cè)量。在這篇文章中，我們測(cè)量了n-ZnO多晶霍爾效應(yīng)，發(fā)現(xiàn)了一些反常的測(cè)量結(jié)果，并對(duì)其進(jìn)行了分析。另外

2、，還報(bào)道了銀摻雜對(duì)ZnO光電性質(zhì)的影響。論文共分三張，每章的主要內(nèi)容概括如下： 第一章綜述了ZnO的光致發(fā)光性質(zhì)和霍爾測(cè)量的基本原理。ZnO單晶的光致發(fā)光譜主要分兩個(gè)部分：激子躍遷在紫外部分的發(fā)光；源于缺陷能級(jí)的可見(jiàn)光。作者認(rèn)為ZnO中同時(shí)存在著幾個(gè)發(fā)光中心，并通過(guò)調(diào)研給出了的一定的證據(jù)。接著介紹了位于紫外部分的一些發(fā)光峰，以及和這些發(fā)光峰相應(yīng)的物理機(jī)制。最后，我們介紹了霍爾測(cè)量的基本原理和一些新的霍爾測(cè)量方法。 在第二

3、章討論了銀摻雜對(duì)ZnO薄膜光電性質(zhì)的影響。ZnO薄膜是用溶膠凝膠法在p-Si的(100)上制備的。我們研究了銀摻雜引起的ZnO光致發(fā)光和電流電壓特性的變化：一方面，銀使ZnO紫外部分的發(fā)光明顯增強(qiáng)，可見(jiàn)光的峰位發(fā)生紅移；另一方面，摻雜的銀改變了ZnO/p-Si異質(zhì)結(jié)的電流電壓特性。這些現(xiàn)象都和銀代替了鋅的位置有關(guān)。 第三章報(bào)道了在多晶ZnO霍爾測(cè)量過(guò)程中出現(xiàn)的一些反常的結(jié)果。我們還對(duì)具有肖特基結(jié)的p-Si單晶進(jìn)行了霍爾測(cè)量，也出