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1、隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)蓬勃發(fā)展,現(xiàn)今半導(dǎo)體業(yè)升級(jí)速度很快。國(guó)內(nèi)投資商由于資金相對(duì)短缺,大都靠進(jìn)口的二手設(shè)備或國(guó)產(chǎn)設(shè)備來(lái)滿足生產(chǎn)和工藝要求。國(guó)產(chǎn)很多設(shè)備在穩(wěn)定性和重要參數(shù)方面都無(wú)法滿足不斷增長(zhǎng)的工藝要求,因此進(jìn)口的二手設(shè)備成為眾多廠商追逐利潤(rùn)的最好選擇。但是由于二手設(shè)備長(zhǎng)期工作,某些設(shè)備的穩(wěn)定性和多項(xiàng)工藝參數(shù)同樣也很難滿足客戶對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量不斷提高的要求。離子注入設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)最為復(fù)雜和昂貴的設(shè)備之一,它的這種現(xiàn)象尤為明顯。目前公司進(jìn)口的2
2、0世紀(jì)80年代初的二手注入機(jī)均勻性方面已經(jīng)無(wú)法滿足工藝需要,方塊電阻同片均勻性在5%左右、同批在7%左右,為了滿足不斷增長(zhǎng)的客戶需求,通過(guò)真空系統(tǒng)、離子源系統(tǒng)和掃描聚焦系統(tǒng)的改進(jìn)使注入方塊電阻的同片均勻性控制在1%以內(nèi)、同批控制在2%以內(nèi),滿足目前生產(chǎn)工藝要求。本文通過(guò)注入機(jī)原理分析,從離子的產(chǎn)生、傳輸和分析掃描聚焦三方面闡述對(duì)均勻性的影響因素,并通過(guò)Minitab軟件對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)做模擬計(jì)算。離子的產(chǎn)生部分主要通過(guò)介紹離子源系統(tǒng),分析影響
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