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文檔簡介
1、由于集成電路行業(yè)的快速發(fā)展,離子注入由于其工藝比較干凈,控制非常精準(zhǔn),迅速得到了廣泛的應(yīng)用。隨著制造工藝水平越來越先進(jìn),離子注入漸漸在整個工藝當(dāng)中起到非常重要的作用,現(xiàn)今工藝對注入量、注入深度、注入角度以及注入雜質(zhì)在多晶硅中的分布狀況的要求已經(jīng)今非昔比了,它不再是某種離子在某個深度注入了一定劑量這樣簡單的一句話概括的了。
本論文主要研究的是離子注入機(jī)在精線寬以及超淺結(jié)的工藝中,所應(yīng)具備的功能。工藝從微米到納米,由于線寬的越來越
2、小,多晶硅越來越薄,注入深度越來越淺,所以雜質(zhì)的熱擴(kuò)散對工藝的電性影響越來越大。通過條狀束流代替?zhèn)鹘y(tǒng)的點束流、精確的角度控制系統(tǒng)以及采用不同能量模式的能量加減速,我們可以實現(xiàn)高效且精確的低能離子注入,并通過制成溫度控制系統(tǒng),極大程度的減小了雜質(zhì)在離子注入時由于受熱而產(chǎn)生的熱擴(kuò)散效應(yīng)。
這篇論文主要結(jié)合先進(jìn)國內(nèi)的主流工藝(45nm),通過機(jī)臺性能及產(chǎn)品電性參數(shù)的對比,闡述先進(jìn)離子注入機(jī)在先進(jìn)工藝中所占有的地位。隨著工藝越來越先進(jìn)
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