共軛聚合物自旋電子材料及其特性研究.pdf

1、獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的研究成果，也不包舍為獲得安徽大學(xué)或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名：髓、仍簽字日期：加ff年5月五名學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解安徽大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論

2、文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)安徽大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編人有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書)學(xué)位論文作者簽名：百磐、謝簽字日期：伽∥年歹月7鈿學(xué)位論文作者畢業(yè)去向：工作單位：通訊地址：導(dǎo)師簽名：打(形勘簽字日期：刀惶年譬月％日電話：郵編：共軛聚合物自旋電子材料及其特性研究的電荷轉(zhuǎn)移。

3、因而可能是導(dǎo)致P3HT：C60復(fù)合薄膜室溫鐵磁性增強(qiáng)的一個(gè)重要原因。3我們通過(guò)制備Ni80Fe20／Pt金屬薄膜兩層結(jié)構(gòu)成功地驗(yàn)證了鐵磁共振(FMR)自旋泵浦技術(shù)。利用這一技術(shù)來(lái)研究共軛聚合物P(yDl20DT2)的自旋傳輸特性，在Ni8lFel9／P(NDl20DT2)／Pt三明治結(jié)構(gòu)器件中觀察到清晰的、隨聚合物中間層厚度而變化的逆自旋霍爾效應(yīng)(ISHE)。結(jié)果表明P(NDl20DT2)是一種具有較長(zhǎng)的自旋擴(kuò)散長(zhǎng)度(大于60nm)的優(yōu)