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文檔簡介
1、單晶硅是重要的紅外系統(tǒng)窗口材料和探測器結(jié)構(gòu)材料。所以對單晶硅激光損傷的研究具有重要的意義。本論文的主要工作如下：
根據(jù)熱傳導(dǎo)方程的基本理論，假設(shè)單晶硅材料為各向同性且其熱學(xué)參數(shù)在激光作用前后為常數(shù)，數(shù)值模擬分析了功率密度和輻照時間對溫度場和熱應(yīng)力場的變化，得到了激光輻照中心溫度隨時間的變化規(guī)律。單晶硅的抗壓強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于抗壓強(qiáng)度，因此單晶硅的損傷依賴于環(huán)向拉應(yīng)力。
通過1-on-1和1000-on-1兩種測試方法得到了
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