毫秒脈沖激光輻照硅基PIN的熱應(yīng)力研究.pdf_第1頁
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1、分類號:——UDC:編號:毫秒脈沖激光輻照硅基PIN的熱應(yīng)力研究THERESEARCHONTHERMAI,STRESSOFSILICONBASEDPINDETECTORIRRADIATEDBYMILLISECONDPULSELASER學(xué)位授予單位及代碼:絲查堡互太堂!!Q!璺魚2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼:堂堂(QZQ星QZ2研究方向:邀堂塑堡皇塹型邀堂墨申請學(xué)位級別:亟指導(dǎo)教師:堂塞塑塾拯研究生:夔蟹論文起止時間:—201210—201403

2、摘要硅基PIN探測器被廣泛應(yīng)用于很多領(lǐng)域,如醫(yī)療領(lǐng)域,工業(yè)領(lǐng)域等。在硅基PIN探測器接收到強激光信號時,容易受到強激光信號的干擾和破壞,因此研究激光與硅基PIN探測器相互作用的破壞機理,意義重大。而在已有的研究中,多為連續(xù)和短脈沖激光對光電探測器的損傷,對長脈沖激光輻照硅基光電探測器來說,模擬仿真雖較多,但主要針對的是構(gòu)成硅基PIN的某一種材料。對于毫秒量級的長脈沖激光對硅基PIN多層材料的熱應(yīng)力損傷研究,還未見報道。本文基于熱傳導(dǎo)理論

3、和彈塑性力學(xué)理論,利用等效比熱容法處理相變潛熱,考慮多個熱源,尤其是底層鋁電極反射的影響,采用有限元模擬軟件COMSOLMultiphysics,并考慮硅基PIN探測器每層材料參數(shù)的非線性影響,對毫秒脈沖激光輻照硅基PIN多層結(jié)構(gòu)的過程進行了二維數(shù)值模擬,得到了材料表層及內(nèi)部各層的瞬態(tài)溫度場與應(yīng)力場在時問和空間上的分布和變化規(guī)律。同時,選擇合適的參數(shù)作為實驗所用的脈沖激光的參數(shù),輻照硅基PIN光電二極管,并監(jiān)測在此過程中硅基PIN光電二

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