長脈沖激光輻照硅材料的損傷研究.pdf

1、強激光一般分為高功率激光和高能量激光兩種。人們一直致力于研究高能量與高功率激光。長脈沖激光具有較高的能量，硅材料是重要的紅外系統(tǒng)窗口材料，是很多探測器的主要組成部分，當激光與探測器配合使用經(jīng)常會引起損傷。所以，對硅材料的激光損傷過程的探索十分重要。本論文的主要工作如下:
　　1、對激光與物質(zhì)相互作用的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀做了總結(jié)，對激光損傷的定義和分類做了基本分析。
　　2、分析了激光參數(shù)對材料的損傷影響以及材料的自身特點對吸收激

2、光的影響，對材料的激光損傷機理做了研究，重點介紹了半導體對光的吸收機理。
　　3、本文根據(jù)熱傳導方程的基本理論，對激光輻照材料的模型做了簡單介紹，對溫度場與熱應力場的理論進行分析，如果半導體材料是各向同性的，在過程前后熱學參數(shù)都是常數(shù)，數(shù)值模擬了長脈沖激光輻照下硅材料的溫度場。模擬結(jié)果表明:靶材溫升區(qū)域主要集中在激光半徑的輻照區(qū)域，并且溫升區(qū)域隨激光能量和輻照時間的增大而擴大，沿著徑向與軸向方向，溫升逐漸減小。
　　4、數(shù)值