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文檔簡(jiǎn)介
1、石墨烯具有優(yōu)異的光學(xué)及電學(xué)特性,在未來(lái)光電子器件透明電極領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。硅納米結(jié)構(gòu)尤其是垂直排列的硅納米陣列結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的陷光能力和電荷傳輸能力,在新一代高性能太陽(yáng)能電池領(lǐng)域吸引了人們廣泛的研究興趣。制備穩(wěn)定低成本高轉(zhuǎn)換效率的石墨烯/硅光伏器件是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)與前沿方向。
本文主要對(duì)基于石墨烯與硅納米結(jié)構(gòu)的高性能光伏器件的構(gòu)造與光電性能展開(kāi)系統(tǒng)研究。通過(guò)制備高質(zhì)量石墨烯與多種具有優(yōu)異陷光能力的硅納米(微米)陣列結(jié)構(gòu),對(duì)硅
2、納米(微米)陣列結(jié)構(gòu)進(jìn)行表面鈍化、對(duì)石墨烯進(jìn)行修飾摻雜、以及引入電子阻擋層等手段構(gòu)筑了高性能石墨烯/硅光伏器件。此外,還構(gòu)筑了基于硅納米線陣列的異質(zhì)結(jié)器件并對(duì)其光伏和光電響應(yīng)特性進(jìn)行了研究。主要的研究結(jié)果如下:
1)采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)合成出高質(zhì)量的石墨烯,利用HNO3、 AuCl3等對(duì)石墨烯進(jìn)行摻雜,結(jié)合對(duì)石墨烯層數(shù)的控制,實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)電性和功函數(shù)的調(diào)控;利用CVD、金屬輔助化學(xué)刻蝕法及反應(yīng)離子刻蝕等方法成功制備硅納米線
3、和多種具有優(yōu)異陷光能力的硅納米(微米)陣列結(jié)構(gòu)。采用甲基和Pt納米顆粒修飾對(duì)硅表面進(jìn)行鈍化,有效的降低其表面載流子復(fù)合速率。
2)制備了單層石墨烯/硅納米線陣列光伏器件,研究了器件結(jié)構(gòu)與器件性能的關(guān)系,采用石墨烯分散液填充硅納米線間隙將器件能量轉(zhuǎn)換效率提升至2.15%;構(gòu)建了單層石墨烯納米帶/多根硅納米線光伏器件,研究了納米線摻雜濃度與器件光伏性能的關(guān)系,納米線摻雜濃度最高時(shí)器件能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)1.47%。
3)提出采
4、用硅納米孔陣列以增加石墨烯與硅的有效結(jié)區(qū)面積,系統(tǒng)的研究了硅表面鈍化、石墨烯層數(shù)、HNO3摻雜時(shí)間等因素對(duì)器件光伏性能的影響。通過(guò)優(yōu)化條件,實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)6.85%和7.65%的基于硅納米線陣列和硅納米孔陣列光伏器件。通過(guò)引入有機(jī)電子阻擋層,降低了硅端電子擴(kuò)散至石墨烯端復(fù)合的幾率,器件效率進(jìn)一步提升至8.71%和10.30%。構(gòu)筑了石墨烯/硅微米孔陣列光伏器件,研究了孔陣列深度與其陷光能力以及器件光伏性能之間的關(guān)系。利用具有持續(xù)
5、摻雜效果的AuCl3對(duì)石墨烯進(jìn)行摻雜,器件能量轉(zhuǎn)換效率提升至10.40%,且具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。
4)構(gòu)筑了碳量子點(diǎn)/硅納米線陣列三維核/殼異質(zhì)結(jié)光電器件,研究了該異質(zhì)結(jié)的整流比、開(kāi)啟電壓、理想因子和勢(shì)壘高度等參數(shù)。系統(tǒng)地對(duì)碳量子點(diǎn)層數(shù)與器件光伏性能的關(guān)系進(jìn)行了研究,最優(yōu)器件的能量轉(zhuǎn)換效率為9.10%。進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)該器件可作為自驅(qū)動(dòng)的高靈敏快速光電探測(cè)器并對(duì)光電探測(cè)的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行了研究。
5)構(gòu)建了p型CdTe納米帶/n
6、型硅納米線陣列異質(zhì)結(jié)光電器件,研究了該異質(zhì)結(jié)的關(guān)鍵參數(shù)。由于兩種材料較為匹配的能帶關(guān)系以及納米線陣列優(yōu)異的陷光能力,該異質(zhì)結(jié)能充分吸收可見(jiàn)及近紅外光,器件能量轉(zhuǎn)換效率為2.3%,遠(yuǎn)高于基于平面硅的器件。此外,該器件還可以作為穩(wěn)定的自驅(qū)動(dòng)光電探測(cè)器并具有快的響應(yīng)速度。
本文在基于石墨烯與硅納米結(jié)構(gòu)高性能光伏器件的構(gòu)造與光電性能研究中的主要?jiǎng)?chuàng)新之處為:通過(guò)調(diào)控石墨烯的導(dǎo)電性與功函數(shù)、降低硅表面載流子復(fù)合速率、增加硅納米(微米)結(jié)構(gòu)
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