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文檔簡介
1、ZnO一維納米材料因其優(yōu)異的光電性質成為當前ZnO材料研究中的熱點之一。本論文分別利用水熱法和化學氣相沉積法(CVD)制備出高質量ZnO納米棒及其陣列結構,并對ZnO和ZnO納米棒/Si的結構和光電性質進行了研究,對ZnO基異質結型光伏器件做了初步的探索。具體研究內容如下:
(1)采用CVD法,未使用金屬催化劑,在Si基底上制備了ZnO納米陣列,研究了不同氧流量和生長溫度對ZnO納米結構形貌的影響,并利用XRD、SEM等測
2、試手段,分析了ZnO一維納米陣列的生長機理,確定適合ZnO一維納米棒陣列生長的參數,初步實現CVD法制備ZnO一維納米陣列的可控生長。
(2)采用兩步水熱法來制備ZnO一維納米結構。首先采用溶膠——凝膠法在Si襯底上旋涂一層ZnO晶種層;然后利用硝酸鋅/六次甲基四胺的溶液,在涂覆了ZnO晶種層上制備出形貌為六棱柱、端面平整的ZnO納米棒陣列,并通過改變工藝參數,來研究各參數對制備的ZnO納米棒形貌的影響。
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