石墨烯光電探測器件的制備及性能研究.pdf

1、自2004年，英國科學家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖羅夫采用微機械剝離法首次從高定向熱解石墨中剝離出單層石墨烯以來，因其優(yōu)異的光學和電學性能，立即在材料科學、半導體電子器件等領域掀起了極大的研究熱情。石墨烯具有超高的載流子遷移率以及優(yōu)異的機械性能和導熱性能，單層石墨烯的透光率高達97.7％，能夠?qū)梢姽獾教掌澆ǘ蔚墓庾V范圍進行吸收。故石墨烯材料在非制冷、寬光譜、高響應度以及超快光電探測方面具有廣闊的應用前景。
　　因此，文章對

2、石墨烯場效應結(jié)構(gòu)光電探測器件的制備及性能進行了研究。論文采用化學氣相沉積法在銅箔上獲得了單層的高質(zhì)量石墨烯薄膜，并使用過硫酸銨將石墨烯無損轉(zhuǎn)移到 SiO2/Si襯底上用于器件制備。通過掃描電子顯微鏡、拉曼光譜以及四探針等對石墨烯薄膜的形貌、厚度和方阻等進行了表征。
　　其次，對器件制備的關(guān)鍵工藝進行了深入研究，完成了石墨烯光電探測器件的制備。優(yōu)化研究了石墨烯圖形化、光刻膠選擇、金屬電極的蒸鍍與剝離以及退火等工藝。
　　再次，

3、應用Keithley4200-SCS型半導體性能測試設備和635nm的激光光源對石墨烯光電探測器件的光電性能進行了測試分析，獲得了常規(guī)雙極型曲線，并對影響石墨烯電學特性的因素，如二氧化硅襯底材料、薄膜材料表面摻雜情況以及金屬/石墨烯的接觸等進行了分析。同時，也對石墨烯的光學性質(zhì)、光電流產(chǎn)生方式以及光學性能進行了簡單分析與研究。
　　此外，對石墨烯/硅基肖特基結(jié)光電探測器件的制備及性能進行了研究，主要介紹了石墨烯/硅基異質(zhì)結(jié)光電探測