基于一維無機(jī)納米材料光電探測(cè)器件的光電特性研究.pdf

1、納米材料由于其優(yōu)異的物理化學(xué)生物特性使得它們?cè)趯?shí)驗(yàn)室中成為最火熱的研究領(lǐng)域。納米材料的合成技術(shù)是納米研究領(lǐng)域的基礎(chǔ)，所以探究納米材料的合成的新方法是一項(xiàng)意義重大的研究。本文主要研究一維納米材料，主要是納米線和納米管兩大方面，一是一維納米材料的光電性能和柔性特性的研究，二是納米管合成的新方法和新工藝。
　　摻氮磷化銦通過化學(xué)氣相沉積法合成出來并分別在在硅片，PET薄膜和云母片上制造出單根納米線場效應(yīng)晶體管和光電探測(cè)器。硅基場效應(yīng)管的

2、開關(guān)比為822，載流子遷移率為43.6 cm2 v-1 s-1，遠(yuǎn)高于其他文獻(xiàn)報(bào)道的數(shù)據(jù)。柔性摻氮磷化銦光電探測(cè)器具有很好地抗彎曲和延展特性，同時(shí)也發(fā)現(xiàn)了一種新型的無機(jī)柔性基底--云母片。最后制作了P3HT和磷化銦混合異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器，展現(xiàn)了更大的光電流。這些器件具有共同的特點(diǎn)，即可在小電壓下高性能地工作，說明摻氮磷化銦納米線具有節(jié)能環(huán)保的特點(diǎn)，是很有希望成為下一代納米光電器件的明星材料。
　　砷化鎘是一種重要的II-V族化合物半

3、導(dǎo)體材料，具有很大的載流子遷移率和遠(yuǎn)紅外探測(cè)特性，由于其具有很低的生長溫度和熔沸點(diǎn)，也能夠作為納米管合成的內(nèi)部支撐材料。經(jīng)過探究，通過簡單的化學(xué)氣相沉積法能夠在砷化鎘納米線表面生長出CdS, CdSe, InP和InAs四種納米管，而且所用的工藝幾乎一樣。這項(xiàng)新的技術(shù)能夠通過使用更少的原材料從而降低成本，并提供一個(gè)猜想：是否存在一種方法就能合成盡可能多的納米管。這項(xiàng)技術(shù)還有一個(gè)特點(diǎn)就是能夠合成出一些其他方法合成不出來的新奇的結(jié)構(gòu)。最后，