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文檔簡介
1、隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，場效應(yīng)晶體管的特征尺寸不斷按比例縮小，當(dāng)器件尺寸進(jìn)入納米尺寸時(shí)，會(huì)面臨著嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)。圍柵Si納米線器件結(jié)構(gòu)具有最佳的柵控能力和優(yōu)良的輸運(yùn)特性，被視為可以將MOS器件尺寸縮短到極限尺寸的最理想的器件結(jié)構(gòu)。
為了制備Si納米線，首先我們采用電子束工藝、trimming工藝和側(cè)墻工藝成功制備出亞100nm尺寸的Sifin條，此外，我們還提出了“trimming+側(cè)墻”工藝進(jìn)一步改善了傳統(tǒng)側(cè)墻工藝制備出
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