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文檔簡介
1、隨著集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,不斷縮小的芯片特征尺寸成為保持摩爾定律向前推進的技術(shù)動力。然而隨著器件尺寸的減小,出現(xiàn)了一系列涉及器件材料、物理、結(jié)構(gòu)、工藝等方方面面的問題,尤其是當(dāng)器件尺寸進入納米級之后,MOS器件短溝道效應(yīng)變的越發(fā)顯著。若要保持Moore定律發(fā)揮作用,就必須采用新材料、新技術(shù)以及新的器件結(jié)構(gòu)。應(yīng)變技術(shù)的引入使得材料能帶結(jié)構(gòu)可以調(diào)整,器件載流子遷移率得到很大提高,又由于與傳統(tǒng)硅工藝相兼容而受到廣泛研究并已經(jīng)應(yīng)用于大規(guī)模集成電
2、路制造中。
本文首先設(shè)計了應(yīng)變SiN/PMOS器件結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)溝道采用SDE與HALO結(jié)構(gòu)以降低短溝道效應(yīng)影響,通過在MOS頂覆蓋SiN膜分別對NMOS和PMOS引入單軸張應(yīng)力和壓應(yīng)力,在PMOS設(shè)計中引入嵌入式源漏硅鍺進一步提高應(yīng)力。研究了應(yīng)變Si MOS相關(guān)電學(xué)特性隨物理參數(shù)變化趨勢,分析了各結(jié)構(gòu)參數(shù)對器件性能的影響機理并優(yōu)化相關(guān)工藝參數(shù),在此基礎(chǔ)上,對本文所設(shè)計的應(yīng)變SiN/PMOS器件性能進行了仿真驗證,結(jié)果表明應(yīng)變硅
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