新型超低阻高壓SOI器件設(shè)計(jì)與工藝分析.pdf

1、功率器件的核心問題是功耗問題。高壓器件決定功耗的因素是器件的耐壓和比導(dǎo)通電阻。常規(guī)超薄SOI器件能夠改善器件耐壓和比導(dǎo)通電阻的關(guān)系，但是其存在很嚴(yán)重的熱點(diǎn)問題，會(huì)影響器件的可靠性。本文就此提出了兩種新型超薄SOI功率器件。
　　1、本文提出一種積累型超薄SOI（Silicon On Insulator）LDMOS（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）器件結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)在

2、漂移區(qū)表面添加了一個(gè)PNP場(chǎng)板，該場(chǎng)板分別于漏端和柵端電氣相連。反向阻斷時(shí)，場(chǎng)板輔助耗盡漂移區(qū)，提高漂移區(qū)濃度；正向?qū)〞r(shí)，器件漂移區(qū)表面形成電子積累層，降低比導(dǎo)通電阻。電子積累層不僅降低了電阻，而且還消除了器件表面的熱點(diǎn)問題。仿真結(jié)果表明，在保持相近耐壓時(shí)，器件的比導(dǎo)通電阻降低為五分之一，為21.1mΩ·cm2；相同功率下，器件表面最高溫度降低了71K。最后，根據(jù)實(shí)際提供了兩種工藝實(shí)現(xiàn)方法。
　　2、本文提出一種具有背部刻蝕的積