版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、SOI(Silicon OnInsulator)器件具有低泄漏電流、低寄生電容、速度快、隔離性好等優(yōu)點(diǎn),因而被廣泛的應(yīng)用于智能功率集成電路(Smart Power Integrated Circuit,SPIC)和高壓功率集成電路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)之中。高壓SOI LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)器件
2、的擊穿電壓由橫向耐壓和縱向耐壓的較小值來(lái)決定,增大漂移區(qū)的長(zhǎng)度可以有效的提高器件的橫向耐壓,但同時(shí)器件的比導(dǎo)通電阻會(huì)大幅度提升,使用較厚的埋氧層可以提高器件的縱向耐壓,但會(huì)給器件帶來(lái)嚴(yán)重的自加熱效應(yīng)。為了改善器件擊穿電壓與比導(dǎo)通電阻的關(guān)系,橫向場(chǎng)板、降低表面電場(chǎng)、超結(jié)和溝槽等技術(shù)被相繼提出。
本文從改善SOI LDMOS器件擊穿電壓與比導(dǎo)通電阻的關(guān)系出發(fā),利用TCAD工具SILVACO對(duì)所提出的三種新型SOI LDMOS器件進(jìn)
3、行仿真研究,具體研究?jī)?nèi)容如下:
(1)對(duì)分裂柵溝槽SOI LDMOS(Split Gate SOI Trench LDMOS,SGT-LDMOS)器件進(jìn)行了研究,并且引入了低阻通道去進(jìn)一步降低器件的比導(dǎo)通電阻( Specific On-resistance,Ron,sp)。由于更高的漂移區(qū)摻雜濃度以及低阻通道的引入,使得具有低阻通道的分裂柵溝槽SOI LDMOS(Split Gate SOI Trench LDMOS With
4、 Low-Resistance Channel,SGTL-LDMOS)與傳統(tǒng)的溝槽SOI LDMOS(Conventional SOI Trench LDMOS, CT-LDMOS)和SGT-LDMOS相比,具有更低的比導(dǎo)通電阻。另外,分裂柵結(jié)構(gòu)的引入可以有效的降低器件的柵電荷并提高器件的擊穿電壓。仿真結(jié)果表明,SGTL-LDMOS相比于CT-LDMOS,擊穿電壓從183V提升到227V,比導(dǎo)通電阻從43.4mΩ·cm2下降到9.3mΩ
5、·cm2,柵電荷從47pC下降到30pC。
?。?)對(duì)集成肖特基的多溝槽SOI LDMOS(Multiple TrenchSOILDMOS With Schottky Rectifier,MTS-LDMOS)器件進(jìn)行了研究,該器件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是在漂移區(qū)中有兩個(gè)氧化槽,并且在兩個(gè)氧化槽中間集成了與源極連接的肖特基整流器。每一個(gè)氧化槽中都有一個(gè)垂直場(chǎng)板去增強(qiáng)漂移區(qū)的體耗盡并調(diào)制器件的內(nèi)部電場(chǎng)。經(jīng)過(guò)仿真分析, MTS-LDMOS相比于傳
6、統(tǒng)的SOI LDMOS(Conventional SOI LDMOS,C-LDMOS)器件,擊穿電壓從293V提高到了345V,比導(dǎo)通電阻從261.2mΩ·cm2下降到了120.1mΩ·cm2,柵漏電荷(Gate-drain Charge,Qgd)從18pC下降到了6pC。另外,由于肖特基整流器的引入使得 MTS-LDMOS器件的反向恢復(fù)特性有了大幅提升,與 C-LDMOS相比,反向恢復(fù)時(shí)間下降了60.6%。
?。?)對(duì)埋氧場(chǎng)板
7、SOI LDMOS(SOI LDMOSWithBuried Field Plate,BFP-LDMOS)器件進(jìn)行了研究,該結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是在埋氧層中引入了兩個(gè)分別與源、漏電極相連的埋氧場(chǎng)板。漏端的埋氧場(chǎng)板的引入避免了器件過(guò)早的在Silicon/BOX層交界面擊穿并且增強(qiáng)了漏端下部埋氧層的電場(chǎng)。源端埋氧場(chǎng)板引入了一個(gè)新的電場(chǎng)峰值并且調(diào)制了器件的橫向電場(chǎng)分布,使得器件的橫向電場(chǎng)分布更加均勻。除此之外,由于埋氧場(chǎng)板取代了一部分埋氧層介質(zhì),所以可以
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 高壓SOI LDMOS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真.pdf
- 高壓SOI LDMOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與模擬研究.pdf
- SOI-LDMOS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì).pdf
- 新型SOI LDMOS高壓器件研究.pdf
- 基于槽技術(shù)的SOI LDMOS器件新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 薄層SOI高壓LDMOS器件模型與特性研究.pdf
- 射頻SOI-LDMOS器件設(shè)計(jì).pdf
- 新型SOI LDMOS器件仿真研究及其模型建立.pdf
- SOI橫向高壓器件耐壓模型和新器件結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 新型低壓LDMOS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真.pdf
- 槽型LDMOS新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究.pdf
- 電荷型高壓SOI器件模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- 高壓LDMOS射頻功率晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 多柵無(wú)結(jié)器件新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真研究.pdf
- 基于SOI的600V NLDMOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及特性研究.pdf
- SOI橫向高壓器件縱向耐壓理論與新結(jié)構(gòu).pdf
- 新型高耐壓LDMOS新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及性能研究.pdf
- 高壓SOI器件耐壓模型與槽型新結(jié)構(gòu).pdf
- 基于器件數(shù)值仿真軟件的薄層SOI高壓器件設(shè)計(jì).pdf
- 高壓低導(dǎo)通電阻SOI器件模型與新結(jié)構(gòu).pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論