2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅(SiC)材料因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、載流子飽和速度高、熱導率高等特點成為制作高頻、大功率半導體器件的首選材料。由于 SiC可以直接通過熱氧化法生長 SiO2薄層,再結合垂直功率 MOSFET(VDMOS)充分利用縱向厚度耐壓及并聯(lián)承載大電流的優(yōu)勢,成為功率器件領域的熱門研究課題之一。
  然而,由于目前主流仿真軟件中的器件相關模型都是針對Si材料設定,使得SiC器件的仿真設計與驗證非常困難,因此大大阻礙了產品的研發(fā)

2、與商業(yè)化進程。
  本文采用業(yè)界常用的Silvaco軟件,由SiC半導體電學特性參數入手,對atlas中的載流子遷移率模型、雪崩擊穿模型等進行了調整,同時利用由電荷泵測量法得到的SiC/SiO2界面態(tài)相關信息,用C-函數編輯器生成界面陷阱連續(xù)分布模型。綜合以上,以實測SiC VDMOS器件參數為基準,實現(xiàn)了其與仿真數據的較準確擬合,建立了可靠的atlas仿真體系。之后充分利用該平臺,由電荷平衡原理入手,對MOS能帶結構實施優(yōu)化,提

3、出并進行了SiC VDMOS新型結構的設計與驗證,實現(xiàn)了器件比導通電阻的大幅減小。
  在 SiC VDMOS工藝制程的難點之一,離子注入工藝方面,本文利用 athena工具,重點采用蒙特卡洛模型優(yōu)化了 P型體區(qū)的多步離子注入工藝,獲得了較為理想的結深與摻雜分布,并完成完整器件制造流程的仿真,之后成功利用atlas進行了電學特性驗證。
  最后,本文介紹了電荷泵(charge-pumping)方法在SiC MOSFET界面特

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