功率VDMOS器件結(jié)構(gòu)與優(yōu)化設(shè)計(jì)研究.pdf

1、VDMOS是微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)融和起來的新一代功率半導(dǎo)體器件。它與早期的MOS管不同，結(jié)構(gòu)上采取了許多改進(jìn)，因而具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、負(fù)溫度系數(shù)、低驅(qū)動(dòng)功率、制造工藝簡單等一系列優(yōu)點(diǎn)，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。目前，國際上已形成規(guī)?；a(chǎn)，而我國在VDMOS設(shè)計(jì)領(lǐng)域則處于起步階段，因此對VDMOS器件的物理特性及電學(xué)特性的研究與建模有著重要實(shí)際意義。
　　 本文設(shè)計(jì)了擊穿電壓分別為60V、100V、500V時(shí)的

2、VDMOS分立器件。首先闡述了VDMOS器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，描述和分析了器件設(shè)計(jì)中各種電性能參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系。通過理論上的經(jīng)典公式來確定VDMOS的外延參數(shù)、單胞尺寸和單胞數(shù)量、終端等縱向和橫向結(jié)構(gòu)參數(shù)的理想值。然后采用ISE軟件對器件特性進(jìn)行模擬和驗(yàn)證，通過對器件耐壓、閾值電壓與導(dǎo)通電阻的模擬來對前面計(jì)算得到的各個(gè)器件參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，從而得到設(shè)計(jì)的最優(yōu)值。接下來根據(jù)結(jié)構(gòu)參數(shù)，利用L-edit版圖繪制軟件分別完成了能夠用于實(shí)